CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现

Nexperia本日发布推出16款新80 V跟100 V功率MOSFET。这些产物均采取翻新型铜夹片CCPAK1212封装，存在业内当先的功率密度跟优胜机能。翻新型铜夹片计划可能承载高电流、寄生电感更低且热机能杰出，因而这些器件十分合适电机把持、电源、可再生动力体系跟其余耗电利用。该系列还包含专为AI效劳器热插拔功效计划的特定利用MOSFET (ASFET)。采取CCPAK封装的MOSFET供给顶部跟底部散热选项，可实现高功率密度跟牢靠的处理计划。全部器件封装均已在JEDEC注册，并装备Nexperia交互式数据手册，便于无缝集成。本文援用地点：标杆器件PSMN1R0-100ASF是一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，可能承载460 A电流并到达1.55 KW耗散功率，采取CCPAK1212封装，仅占用12mm×12mm的电路板空间。PSMN1R0-100CSF的顶部散热版本也具有相似的机能。优胜的机能表示与器件的外部构造严密相干。CCPAK1212中的“CC”代表铜夹片(Copper Clip)，这象征着功率MOSFET]article_adlist-->的晶圆夹在两片铜片之间，一侧是漏极散热片，另一侧是源极夹片。优化后的计划无需引线键合，进而可下降导通电阻跟寄生电感，进步最年夜额外电流并改良热机能。CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET合适着重于高效力跟高牢靠性的耗电产业利用，包含无刷直流(BLDC)电机把持、开关电源(SMPS)、电池治理体系(BMS)跟可再生动力存储。这类单个年夜功率封装的MOSFET可增加并联需要、简化计划，并供给更紧凑、更具本钱效益的处理计划。Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，还包含一些为特定利用而计划开辟的新型MOSFET (ASFET)，重要用于为日益加强的AI效劳器实现热插拔操纵。这些器件的保险任务区(SOA)经由强化，可在线性形式转换时期供给杰出的热稳固性。 本系列器件供给顶部跟底部散热选项，让相干利用的工程师能够机动抉择散热道路，尤其实用于由于某些热敏感器件限度而无奈直接经由过程PCB停止散热的计划。 Nexperia产物部总司理Chris Boyce表现：“只管咱们领有市场当先的机能，但咱们晓得，一些客户对采取绝对较新的封装停止计划时仍迟疑未定。为此，咱们曾经向JEDEC尺度构造注册了CCPAK1212，参考编号为MO-359。早些年推出第一款LFPAK MOSFET封装时，咱们就采取了相似的方式，因而当初市场上有很多兼容的器件。当翻新可能为客户发明真正的代价时，市场很快就会赐与呼应。” 全部新款CCPAK1212 MOSFET器件均享用一系列进步的计划东西支撑，包含热弥补仿真模子。Nexperia还将传统的PDF数据手册进级成了用户友爱型交互式数据手册，此中新增了一项“图形转csv”功效，使工程师可能下载、剖析跟说明每个器件要害特征背地的数据。这不只简化了计划流程，并且加强了对计划抉择的信念。Nexperia打算将CCPAK1212封装利用到全部电压范畴的功率MOSFET及其合乎车规级AEC-Q101尺度的产物组合，以实现超高电流跟杰出热机能，满意下一代体系一直变更的需要。 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->